3月13日，新華網(wǎng)刊登了《中華人民共和國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》，其中“集成電路”領(lǐng)域，特別提出碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體也就是行業(yè)人士關(guān)注的第三代半導(dǎo)體要取得發(fā)展。

官宣來(lái)了 

  十四五規(guī)劃中提到的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）均為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，其中氮化鎵用于半導(dǎo)體器件中時(shí)，具備耐高溫、高開關(guān)頻率、低導(dǎo)通電阻、高效率、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等優(yōu)異特性，不過受限于制造工藝、應(yīng)用成本等因素的限制，多年以來(lái)氮化鎵僅實(shí)現(xiàn)小范圍應(yīng)用。

  近年來(lái)，隨著材料生長(zhǎng)、器件制備等技術(shù)的不斷突破，第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)，并正在打開應(yīng)用市場(chǎng)。自從2018年開始，氮化鎵在消費(fèi)類快充電源領(lǐng)域的應(yīng)用就已經(jīng)進(jìn)入了快車道。未來(lái)五年，基于第三代半導(dǎo)體材料的電子器件將廣泛應(yīng)用于激光雷達(dá)、5G通信、新能源汽車、特高壓、人工智能、數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)景。

產(chǎn)業(yè)利好

  氮化鎵寫入十四五規(guī)劃，意味著這一產(chǎn)業(yè)將在未來(lái)的發(fā)展中獲得國(guó)家層面的大力扶持，加速以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大規(guī)模實(shí)現(xiàn)技術(shù)自主可控；并有望成為我國(guó)打破歐美發(fā)達(dá)國(guó)家在第二代半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)壟斷的突破口，緩解以美國(guó)為首的發(fā)達(dá)國(guó)家對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展形成的壓力，最終完成彎道超車。 

  對(duì)于消費(fèi)電源產(chǎn)業(yè)而言，隨著氮化鎵技術(shù)及市場(chǎng)化應(yīng)用逐漸成熟，大規(guī)模量產(chǎn)將帶來(lái)巨大的成本優(yōu)勢(shì)，未來(lái)的快充市場(chǎng)也將被氮化鎵技術(shù)徹底激活，不斷刺激傳統(tǒng)快充配件市場(chǎng)全面開啟產(chǎn)品迭代模式。這期間，經(jīng)過工程師的不斷探索，涌現(xiàn)出一大批創(chuàng)新型氮化鎵快充，推動(dòng)行業(yè)發(fā)展起到了深遠(yuǎn)影響。

  這也將為整個(gè)快充產(chǎn)業(yè)鏈帶來(lái)極大的利好，在即將爆發(fā)的大規(guī)模產(chǎn)品迭代中，不僅是氮化鎵功率器件，與之配套的控制芯片、變壓器、電容、快充工廠都將迎來(lái)前所未有的市場(chǎng)機(jī)遇。

  去年9月，英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開始由廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，標(biāo)志著全球最大氮化鎵工廠正式建設(shè)完成，同時(shí)也預(yù)示中國(guó)功率半導(dǎo)體步入一個(gè)嶄新時(shí)代。

氮化鎵芯片上游

  在氮化鎵快充市場(chǎng)不斷發(fā)展壯大的過程中，入局該領(lǐng)域的玩家也逐漸增多。在最受關(guān)注的氮化鎵功率器件方面，雖然據(jù)充電頭網(wǎng)拆解數(shù)據(jù)顯示，目前僅有納微、PI、英諾賽科、GaNsystems、Transphorm五家品牌的氮化鎵功率器件正式量產(chǎn)出貨并成功導(dǎo)入了終端產(chǎn)品；但在充電頭網(wǎng)最新的整理的氮化鎵芯片供應(yīng)商中，已有十余家國(guó)內(nèi)外氮化鎵芯片原廠推出了多達(dá)數(shù)十款氮化鎵芯片。

文章來(lái)源：充電頭網(wǎng)